Технология производства полупроводниковых материалов, приборов и интегральных схем.

Купить бумажную книгу и читать

Купить и скачать электронную книгу

Автор: Кротов И.И., Гаврилина М.И.

Название: Технология производства полупроводниковых материалов, приборов и интегральных схем.

Издательство: МГОУ

Год: 2001

Формат: djvu

Размер: 1.71 Mib

Для сайта:

ВВЕДЕНИЕ

Вводный модуль

В1. Роль технологии в создании современной элементной базы для электроники

В2. Блок настроя на изучение дисциплины

В3. Краткий исторический очерк развития полупроводниковой технологии

В4. Содержание учебника

В5. Указания по изучению дисциплины

В6. Основные понятия и определения

В7. Перечень литературы

Модуль 1. Структура и свойства твёрдых тел

1.1. Кристаллические и аморфные тела

1.2. Дефекты в кристаллических телах

1.3. Методы исследования структуры твёрдых тел

1.3.1. Рентгеновская дифракционная топогорафия

1.3.2. Растровая электронная микроскопия

1.3.3. Метод световой микроскопии и селективного травления

1.3.4. Инфракрасная микроскопия

1.3.5. Автоматический анализ микрообъектов

1.3.6. Механизм роста кристаллов

1.3.7. Рост неогранённых кристаллов

1.3.8. Рост огранённых кристаллов

1.3.9. Теплоперенос при росте кристаллов

1.3.10. Рост дендритов

1.4. Резюме по модулю

1.5. Контрольные вопросы

1.6. Задачи

1.7. Тесты

Модуль 2. Получение монокристаллического кремния

2.1. Получение исходного поликристаллического кремния

2.2. Выращивание монокристаллов кремния по методу Чохральского

2.3. Резка слитков и механическая обработка пластин

2.4. Резюме по модулю

2.5. Контрольные вопросы

2.6. Задачи

2.7. Тесты

Модуль 3. Эпитаксиальное выращивание кремния

3.1. Факторы, влияющие на процесс эпитаксиального наращивания

3.2. Методы эпитаксиального выращивания кремния

3.3. Оборудование для эпитаксиального выращивания кремния

3.4. Резюме по модулю

3.5. Контрольные вопросы

3.6. Тесты

Модуль 4. Термическое окисление кремния

4.1. Механизм процесса термического окисления кремния

4.2. Факторы, влияющие на процесс термического окисления кремния

4.3. Влияние температуры

4.4. Резюме по модулю 80

4.5. Контрольные вопросы

4.6. Задачи

4.7. Тесты

Модуль 5. Диффузионное легирование кремния

5.1. Механизм процесса диффузионного легирования

5.2. Законы диффузии

5.3. Способы диффузионного легирования кремния

5.3.1 Некоторые сложные случаи диффузии

5.3.2 Дефекты в диффузионных слоях

5.4. Резюме по модулю

5.5. Контрольные вопросы

5.6. Задачи

5.7. Тесты

Модуль 6. Ионное легирование кремния

6.1. Механизм процесса ионного легирования

6.2. Факторы, влияющие на процесс ионного легирования

6.3. Отжиг ионно-имплантированных слоев

6.3.1 Особенности процесса ионного легирования

6.3.2 Оборудование для ионного легирования кремния

6.4. Резюме по модулю

6.5. Контрольные вопросы

6.6. Задачи

6.7. Тесты

Модуль 7. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов и интегральных схем

7.1. Основные методы сборки ППП и ИС

7.2. Корпуса для герметизации ППП и ИС

7.3. Методы герметизации ППП и ИС

7.3.1. Методы герметизации в корпусах

7.3.2. Методы бескорпусной герметизации

7.3.3 Контроль герметичности ППП и ИС

7.4. Резюме по модулю

7.5. Контрольные вопросы

7.6. Тесты

Ответы на тесты