Испытание и исследование полупроводниковых приборов

Купить бумажную книгу и читать

Название: Испытание и исследование полупроводниковых приборов

Автор: Аронов В.Л., Федотов Я.А.

Издательство: Высшая школа

Год: 1975

Страниц: 325

Формат: PDF

Размер: 52 Мб

Язык: русский

В книге изложены основные принципы и методы измерения полупроводниковых приборов, дана оценка погрешностей измерения параметров. Описаны методы измерения статических параметров, параметров двухполюсника и четырехполюсника с помощью малого сигнала, импульсных параметров, шумовых и тепловых параметров, параметров высокочастотных полупроводниковых приборов и др. Приведены особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования.

Оглавление

Предисловие... 3

Введение... 4

Глава I Основные принципы и методы измерения электрических параметров полупроводниковых приборов... 11

§ 1.1 Метод замещения... 11

§ 1.2. Генератор тока я генератор напряжения в технике измерения полупроводниковых приборов... 16

§ 1.3. Мостовые методы... 24

§ 1.4. Методы измерения параметров, представляющих собой отрезки времени... 26

§ 1.5. Методы, основанные на преобразования результатов измерения в цифровой код... 30

Глава II. Оценки погрешности измерения параметров полупроводниковых приборов... 33

§ 2.1. Классификация погрешностей измерения... 34

§ 2.2. Количественное представление погрешности измерения ... 37

§ 2.3. Суммирование частных погрешностей измерения... 40

§ 2.4. Пример оценки погрешности измерительной установки... 43

Глаза III. Измерение статических параметров полупроводниковых приборов ... 55

§ 3.1. Статические характеристики... 55

§ 3.2. Статические параметры диодов и транзисторов... 63

§ 3.3. Измерения статических параметров диодов и транзисторов... 68

§ 3 4. Измерение малых обратных токов... 77

§ 3.5. Измерения статических характеристик полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением и с "разрывными" характеристиками ... 81

Глава IV. Измерение параметров эквивалентных двухполюсника в четырехполюсника с помощью малого сигнала... 89

§ 4.1. Малосигнальные параметры полупроводниковых приборов на низких частотах ... 90

§ 4.2. Методы измерения параметров на низких частотах... 97

§ 4.3. Измерение малосигнальных параметров полупроводниковых приборов на высоких частотах... 104

§ 4.4. Измерение параметров на сверхвысоких частотах...113

Глава V. Измерение параметров эквивалентных схем полупроводниковых приборов ...123

§ 5.1. Измерение емкостей полупроводниковых приборов... 125

§ 5.2. Измерение последовательных сопротивлений диодов... 134

§ 5.3. Параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора ...144

§ 5.4. Измерение граничной частоты транзисторов... 153

§ 5.5. Измерение базового сопротивления транзисторов... 163

§ 5.6. Измерение индуктивностей выводов полупроводниковых приборов... 169

§ 5.7. Измерение параметров эквивалентных схем полевых транзисторов ...173

§ 5.8. Измерение параметров эквивалентной схемы туннельных диодов ...177

Глава VI. Измерение импульсных параметров полупроводниковых приборов ...179

§ 6.1. Импульсные параметры полупроводниковых диодов...181

§ 6.2. Методы измерения импульсных параметров полупроводниковых диодов...185

§ 6.3. Импульсные параметры транзисторов...193

§ 6.4. Методы измерения импульсных параметров транзисторов ...196

§ 6.5. Измерение импульсных параметров триодных тиристоров ...204

Глава VII. Исследования и измерение шумовых параметров полупроводниковых приборов...210

§ 7.1. Шумовые параметры двухполюсника и четырехполюсника ... 211

§ 7.2. Измерение шумовой температуры двухполюсника ...213

§ 7.3. Измерение шумовых параметров четырехполюсников на низкой частоте...217

§ 7.4. Измерение коэффициента шума транзисторов на высоких и сверхвысоких частотах...224

Глава VIII. Исследования и контроль тепловых характеристик полупроводниковых приборов...232

§ 8.1. Методы измерения электрических параметров в диапазоне температур ...232

§ 8.2. Методы исследования температуры в активной области прибора ...234

§ 8.3. Измерение теплового сопротивления...237

§ 8.4. Испытания на устойчивость полупроводниковых приборов к температурным воздействиям ...249

Глава IX. Измерение параметров генераторных высокочастотных полупроводниковых приборов...252

§ 9.1. Измерение отдаваемой мощности полупроводниковых приборов, работающих в схеме автогенератора...252

§ 9.2. Измерение отдаваемой мощности, коэффициента усиления и к.п.д. полупроводниковых приборов, работающих в схеме генератора с независимым возбуждением...257

§ 9.3 Измерение параметров структуры и эквивалентной схемы ... 265

Глава X. Испытания полупроводниковых приборов на надежность ... 272

§ 10.1. Виды испытаний на надежность... 272

§ 10.2. Основные понятия надежности... 276

§ 10.3 Распределение отказов во времени. Количественные показатели надежности...297

§ 10.4. Обработка результатов испытаний. Понятие о доверительной интервале ... 300

§ 10.5. Оценка качества продукции на соответствие нормам технических условий. Определение объема выборки

§ 10.6. Классификация отказов. Роль критериев годности в оценке результатов

§ 10.7. Цели и задачи испытаний

Глава XI. Особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования для полупроводниковых приборов ... 305

§ 11.1. Контактодержатель для подключения полупроводниковых приборов к измерительной схеме ... 305

§ 11.2. Защита полупроводниковых приборов от случайных перегрузок ...311

§ 11.3. Методы подавления паразитной генерации испытуемого прибора в схеме измерения... 314

§ 11.4. Основные принципы компоновки измерительных установок...317

Литература... 320