Основы материаловедения и технологии полупроводников.

Купить бумажную книгу и читать

Купить бумажную книгу

По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Лабиринт".

Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.

Реклама. ООО "ЛАБИРИНТ.РУ", ИНН: 7728644571, erid: LatgCADz8.

Автор:

Название: Основы материаловедения и технологии полупроводников.

Издательство: Мир

Год: 2002

Формат: PDF

Размер: 2.51 Mb

Количество страниц: 376

Для сайта:

Прогресс современной науки и техники неразрывно связан с успехами как в развитии и совершенствовании технологии получения традиционных полупроводниковых материалов, так и в разработке и исследовании новых перспективных полупроводников.

Поразительные возможности современной полупроводниковой электроники и особенно микроэлектроники реализуются только по мере разработки и освоения выпуска полупроводниковых материалов с разнообразными физическими свойствами. Эти материалы позволили создать на их основе миниатюрные усилители и генераторы электрических сигналов, работающие в широком диапазоне частот, интегральные микросхемы для современных компьютеров, преобразователи одного вида энергии в другой, полупроводниковые светодиоды. лазеры и фотоприемники, работающие в ИК и видимом диапазонах (полупроводниковые лазеры и фотопрнемники составляющие элементной базы волоконно-оптических линий связи), детекторы излучений и частии, магнитные, пьезо-,сегнетоэлектрические и многие другие устройства. В то же время открытие новых явлений и потребность создания более совершенных приборов для научных исследований стимулируют поиск, разработку и освоение производства новых материалов с требуемыми свойствами. Между физикой и технологией полупроводников существует тесная взаимосвязь, и часто оказывается, что получение новых физических результатов становится невозможным без постоянного прогресса в технологии.

Книга предназначена для студентов и специалистов в области полупроводников, а также для широкого круга читателей.

Дата создания страницы: