По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Лабиринт".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО "ЛАБИРИНТ.РУ", ИНН: 7728644571, erid: LatgCADz8.
Название: CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies: Process-Aware SRAM Design and Test
Автор:Andrei Pavlov
Издательство:Springer
Год: 2008
Страниц:202
ISBN:1402083629
Формат: PDF
Размер: 10.6 мб
Язык: English
As technology scales into nano-meter region, design and test of Static Random Access Memories (SRAMs) becomes a highly complex task. Process disturbances and various defect mechanisms contribute to the increasing number of unstable SRAM cells with parametric sensitivity. Growing sizes of SRAM arrays increase the likelihood of cells with marginal stability and pose strict constraints on transistor parameters distributions.
Купить бумажную книгу или электронную версию книги и скачать