Купить бумажную книгу и читать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "МИФ".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "MIF" online store.
Реклама. ООО «МИФ», ИНН: 7703809969, erid: LatgBY5SL.
Автор: Jianjun Gao
Название: Heterojunction Bipolar Transistors for Circuit Design: Microwave Modeling and Parameter Extraction
Издательство: Wiley
Год: 2015
Формат: PDF
Размер: 4 Mb
Язык: Английский
A highly comprehensive summary on circuit related modeling techniques and parameter extraction methods for heterojunction bipolar transistors
- Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is one of the most important devices for microwave applications. The book details the accurate device modeling for HBTs and high level IC design using HBTs
- Provides a valuable reference to basic modeling issues and specific semiconductor device models encountered in circuit simulators, with a thorough reference list at the end of each chapter for onward learning
- Offers an overview on modeling techniques and parameter extraction methods for heterojunction bipolar transistors focusing on circuit simulation and design
- Presents electrical/RF engineering-related theory and tools and include equivalent circuits and their matrix descriptions, noise, small and large signal analysis methods
Купить бумажную книгу или электронную версию книги и скачать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "МИФ".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "MIF" online store.
Реклама. ООО «МИФ», ИНН: 7703809969, erid: LatgBY5SL.
Дата создания страницы: