Купить бумажную книгу и читать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Читай Город".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО «Новый Книжный Центр», ИНН: 7710422909, erid: MvGzQC98w3Z1gMq1kx5ACoy5.
Автор: Jianjun Gao
Название: Heterojunction Bipolar Transistors for Circuit Design: Microwave Modeling and Parameter Extraction
Издательство: Wiley
Год: 2015
Формат: PDF
Размер: 4 Mb
Язык: Английский
A highly comprehensive summary on circuit related modeling techniques and parameter extraction methods for heterojunction bipolar transistors
- Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is one of the most important devices for microwave applications. The book details the accurate device modeling for HBTs and high level IC design using HBTs
- Provides a valuable reference to basic modeling issues and specific semiconductor device models encountered in circuit simulators, with a thorough reference list at the end of each chapter for onward learning
- Offers an overview on modeling techniques and parameter extraction methods for heterojunction bipolar transistors focusing on circuit simulation and design
- Presents electrical/RF engineering-related theory and tools and include equivalent circuits and their matrix descriptions, noise, small and large signal analysis methods
Купить бумажную книгу или электронную версию книги и скачать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Читай Город".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО «Новый Книжный Центр», ИНН: 7710422909, erid: MvGzQC98w3Z1gMq1kx5ACoy5.
Дата создания страницы: