Физико-технические основы устройств микроэлектроники

Купить бумажную книгу и читать

Автор: Еремина И.Н., Саноян А.Г.

Название: Физико-технические основы устройств микроэлектроники

Издательство: Самара: Изд-во Самар, гос. аэрокосм. ун-та

Год: 2008

Страниц: 85

Формат: pdf

Размер: 4 mb

В пособии изложены теоретические положения и физико-технические методы анализа параметров физических сред и элементов конструкций, используемых в конструкторско-технологической практике создания микроэлектронных устройств. Приведен большой круг задач и упражнений по рассматриваемой тематике. Форма представления учебного материала ориентирована на значительный объем самостоятельной работы студентов.

Рекомендуется для студентов, обучающихся по специальности 200800 заочной формы обучения. Разработано на кафедре «Наноинженерия».

Содержание:

Список основных условных обозначений

Введение

Методы статистической физики, используемые в конструкторско-технологической практике создания устройств микроэлектроники

Физическая сущность статистического метода анализа макроскопических систем

Активационная модель протекания элементарных физикохимических процессов

Определение концентрации активных, с энергетической точки зрения, частиц

Динамическое равновесие элементарных процессов в макроскопических системах

Определение срока службы изделий на основе статистических методов физической надежности

Специфика протекания термоактивационных процессов в условиях внешних силовых воздействий. Кинетическая теория прочности материалов

Задачи и упражнения к разделу

Определение концентрации активных частиц, ответственных за протекание элементарных физико-химических процессов

Статистический анализ физико-химических процессов, используемых в технологической практике создания элементов электронных устройств

Оценка срока службы технических устройств с позиций активационной модели расходования ресурса

Контактные и поверхностные явления в твердотельных структурах

Физические основы выпрямляющего эффекта электроннодырочного перехода в полупроводниковых структурах

Контактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда

Вольт-амперная характеристика контактной системы «металл -полупроводник»

Задачи и упражнения к разделу

Общие рекомендации по решению задач и упражнений

Контактные явления в системах "Металл №1 - Металл №2

Контактные явления в системах «Металл - Полупроводник»

Энтропийные методы и показатели качества микро- и нанотехнологий

Цели и задачи энтропийного подхода

Формальное представление технических объектов и технологии их создания

Показатели качества технологий на микроскопическом уровне рассмотрения

Показатели качества технологий на макроскопическом уровне рассмотрения

Показатели качества реальных технологий

Информационный потенциал и дефицит технологии создания изделий

Информационный запас качества и срок службы изделий

Процесс создания микроструктур в рамках представлений теории кодирования дискретной информации

Алгоритмическая энтропия и самоорганизация сложных атомных структур

Общие принципы пространственно-временной организации и эволюции микроэлектронных устройств

Задачи и упражнения к разделу

Заключение

Список рекомендуемой литературы

Приложение Справочные данные общего характера

| |