Купить бумажную книгу и читать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Лабиринт".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО "ЛАБИРИНТ.РУ", ИНН: 7728644571, erid: LatgCADz8.
Автор: Brent Keeth, R.Jacob Baker, Brian Johnson, Feng Lin.
Название: DRAM Circuit Design. Fundamental and High-Speed Topics
Издательство: Wiley-IEEE Press
Год: 2007
ISBN: 978-0-470-18475-2
Кол-во страниц: 440
Формат: PDF
Размер: 58.10Мб
Язык: английский
Для сайта:
A modern, comprehensive introduction to DRAM for students and practicing chip designers.
Dynamic Random Access Memory (DRAM) technology has been one of the greatestdriving forces in the advancement of solid-state technology. With its ability to produce high product volumes and low pricing, it forces solid-state memory manufacturers to work aggressively to cut costs while maintaining, if not increasing, their market share. As a result, the state of the art continues to advance owing to the tremendous pressure to get more memory chips from each silicon wafer, primarily through process scaling and clever design.
Купить бумажную книгу или электронную версию книги и скачать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Лабиринт".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО "ЛАБИРИНТ.РУ", ИНН: 7728644571, erid: LatgCADz8.
Дата создания страницы: