Теория электронных полупроводников. Приложения к теории транзисторов

Купить бумажную книгу и читать

Купить бумажную книгу

По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Лабиринт".

Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.

Реклама. ООО "ЛАБИРИНТ.РУ", ИНН: 7728644571, erid: LatgCADz8.

Автор: Шокли В.

Название: Теория электронных полупроводников. Приложения к теории транзисторов

Издательство: М.: Издательство иностранной литературы

Год: 1953

Страниц: 724

Формат: pdf

Размер: 30 mb

В основу этой книги положен ряд лекций, прочитанных автором в связи с развитием программы работ по транзисторам. Содержание ее и структура в значительной степени определились этими лекциями. Ударение в из.1ожении сделано, в соответствии с этим, на явления, наиболее существенные для электроники транзисторов.

Первая часть книги содержит лишь самое элементарное введение в теорию полупроводников и транзисторов, основное внимание уделено рассмотрению результатов экспериментальных исследований. Предполагается, что этот материал будет доступен инженерам-электрикам и студентам-физикам, не знающим квантовой механики. Эта часть должна служить основой для понимания работы транзисторов, а также элементарных расчетов.

Третья часть книги имеет своей целью показать, как основные положения квантовой теории приводят нас к представлениям о свойствах дырок и электронов. Чтобы сделать понятным хотя бы основной смысл, если не детали, этих математических исследований для читателя, не очень искушенного в теоретической физике, эта часть книги содержит некоторые вводные главы. Она включает также введение в статистическую механику и рассматривает некоторые вопросы, относящиеся к теории электронной проводимости в кристаллах.

Во второй части книги делается попытка перебросить мост между первой и третьей частями книги. Результаты и соображения, приведенные в третьей части книги, представлены здесь в более наглядной и описательной форме.

|

Дата создания страницы: