Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников

Купить бумажную книгу и читать

Автор: Миз Джон

Название: Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников

Издательство: Мир

Год: 1982

Формат: djvu

Размер: 3,5 mb

Книга содержит ряд докладов, прочитанных специалистами США и других стран на Второй международной конференции по НТЛ полупроводников и посвященных новой перспективной технологии введения легирующих примесей в полупроводники - трансмутационному легированию при облучении в реакторе. Рассмотрены физические основы трансмутационного легирования (ТЛ), вопросы радиационной безопасности, техника облучения, образование дефектов и их отжиг, электрофизические и структурные свойства трансмутационно легированного кремния и улучшение характеристик приборов. Для специалистов в области радиационной физики твердого тела, полупроводниковой технологии, реакторной физики и техники.

Содержание:

Процесс нейтронного трансмутационного легирования (НТЛ) - новая реакторная технология.

Обнаружение и идентификация примесей, активируемых при нейтронном облучении кремния, выращенного методом Чохральского.

НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности.

Определение потока и спектра нейтронов для расчета энергетических спектров ядер отдачи и повреждений в материалах, облученных быстрыми нейтронами на низкотемпературной установке реактора Ср-5.

Нейтронное легирование на исследовательских реакторах в Харуэлле.

Расширенная программа нейтронного трансмутационного легирования кремния на испытательном реакторе фирмы "Дженерал Электрик".

Автоматическая облучательная установка для нейтронного легирования кремниевых слитков больших размеров.

Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе Университета шт. Миссури (ИРУМ).

Эффекты атомных смещений при НТЛ.

Исследование электрических характеристик ТЛ-кремния.

Влияние изохронного отжига на удельное сопротивление трансмутационно легированных образцов кремния, выращенного методом зонной плавки или методом Чохральского.

Уровни дефектов, определяющие свойства ТЛ-кремния после отжига.

Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученном нейтронами.

Применение ТЛ-кремния для изготовления приборов большой мощности.

Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокочувствительных ИК-приемников.

Флуктуации удельного сопротивления в сильно компенсированном ТЛ-кремнии.