Полупроводниковые приборы

Купить бумажную книгу и читать

Автор: Н. Н. Хлебников

Название: Полупроводниковые приборы

Издательство: Ленинградский электротехнический институт связи

Год: 1968

Страниц: 197

Формат: DJVU

Размер: 2,1 МБ

Качество: Отличное, 600дпи, цветные обложки и ч/б иллюстрации

Полупроводниковыми приборами называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Они подразделяются на электропреобразовательные полупроводниковые приборы, предназначенные для преобразования электрических величин в другие электрические величины, фотоэлектрические полупроводниковые приборы, служащие для преобразования световых величин в электрические, теплоэлектрические полупроводниковые приборы, служащие для преобразования тепловых величин в электрические и обратно, тензоэлектрические полупроводниковые приборы, предназначенные для преобразования механических деформаций в электрические величины, и магнитоэлектрические полупроводниковые приборы, использующиеся для преобразования магнитных величин в электрические. В курсе подробно изучаются электропреобразовательные полупроводниковые приборы, называемые в дальнейшем для краткости просто полупроводниковыми приборами. Основные сведения приводятся также и по фотоэлектрическим и теплоэлектрическим полупроводниковым приборам....

Содержание:

Электрические свойства полупроводников

1.1. Основные сведения

1.2. Концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике

1.3. Концентрации носителей заряда в электронном полупроводнике

1.4. Концентрации носителей заряда в дырочном полупроводнике

1.5. Концентрации носителей заряда в полупроводнике с донорными и акцепторными примесями

1.6. Неравновесное состояние полупроводника

Основные понятия

Введение и выведение носителей заряда

Генерация и рекомбинация

Диффузия носителей заряда

Распределение концентраций подвижных носителей заряда в полупроводнике, находящемся в неравновесном состоянии

1.7. Токи в полупроводнике

Электрическое поле в полупроводнике

Ток проводимости

Ток диффузии

Рекомбинационный и генерационный токи

1.8. Контакт электронного и дырочного полупроводников (np-переход)

Случай отсутствия напряжения

Случай прямого напряжения

Случай обратного напряжения

Статическая (вольт-амперная) характеристика np-перехода

1.9. Контакт вырожденных полупроводников

1.10. Контакт полупроводника и металла

1.11. Поверхностные явления

Поверхностное электрическое поле

Поверхностные проводимости и каналы

Поверхностная рекомбинация

2. Статические характеристики и параметры полупроводниковых приборов

2.1.Полупроводниковый диод

Вольт-амперная характеристика

Пробой перехода

Влияние температуры

Внутреннее сопротивление

2.2. Принцип действия транзистора

2.3. Активный режим работы транзистора

Физические процессы

Токи транзистора

2.4. Режимы насыщения и отсечки; инверсный режим

2.5. Характеристики транзистора

Схема с общим эмиттером

Схема с общей базой

Схема с общим коллектором

Влияние температуры

2.6. Статические параметры транзисторов

2.7. Дрейфовый транзистор

3. Квазистатический режим полупроводниковых приборов

3.1. Основные понятия

3.2. Аналитические расчеты токов

Конвекционные токи в схеме ОЭ

Конвекционные токи в схеме ОБ

Емкостные токи

Эквивалентные схемы транзисторов

Свойства усилительных ступеней на транзисторах

4. Динамический режим полупроводниковых приборов

4.1. Полупроводниковый диод (режим малых амплитуд)

4.2. Полупроводниковый диод (режим больших амплитуд)

4.3. Полупроводниковый диод (импульсный режим)

Расчеты токов в импульсном режиме

Импульсные параметры полупроводниковых диодов

4.4. Транзистор (случай малых амплитуд)

Векторные диаграммы

Расчеты токов в случае малых амплитуд Эквивалентная схема и динамические параметры Коэффициент передачи эмиттерного тока α

Коэффициент передачи базового тока β

Динамическая крутизна

Входная проводимость

Выходная проводимость

Проходная проводимость

Роль сопротивления базы

4.5. Транзистор (импульсный режим)