Купить бумажную книгу и читать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Читай Город".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО «Новый Книжный Центр», ИНН: 7710422909, erid: MvGzQC98w3Z1gMq1kx5ACoy5.
Название: Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники
Автор: Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М.
Издательство: ИД ТГУ
Год: 2013
Страниц: 560
ISBN: 978-5-9462-1411-7
Формат: PDF
Размер: 7.6 Мб
Язык: русский
Учебное пособие, состоящее из двух частей, посвящено полупроводниковой фотоэлектронике. В первой части изложены физические принципы фотоэлектрических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, в частности квантово-размерных. Во второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого ряда полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных.
Рассмотрены способы и варианты построения оптических фотоэлектронных систем как видимого, так и инфракрасного диапазонов.
Для студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических специальностей, аспирантов и специалистов, работающих в области фотоэлектроники.
Купить бумажную книгу или электронную версию книги и скачать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Читай Город".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО «Новый Книжный Центр», ИНН: 7710422909, erid: MvGzQC98w3Z1gMq1kx5ACoy5.
Дата создания страницы: