Туннельные явления в твердых телах

Купить бумажную книгу и читать

Название: Туннельные явления в твердых телах

Автор: Бурштейн Э., Субашиев А.В.(ред.)

Издательство: Мир

Год: 1973

Страниц: 421

Формат: DJVU

Размер: 10.2 Мб

Язык: русский

В основу книги положены лекции по туннельным явлениям в твердых телах, прочитанные крупными зарубежными учеными Кейном, Эсаки, Живером, Шриффером и др., известными своими работами в различных областях физики твердого тела.

В книге описан широкий круг явлений, связанных с протеканием тока в туннельных структурах (р — n-переход, полупроводник — металл и металл — изолятор — металл). В равной мере освещаются теоретические и экспериментальные аспекты исследований. Рассматривается туннелирование в контактах, содержащих металл в сверхпроводящем состоянии. Большое внимание уделяется взаимодействию туннелирующих электронов с различного рода возбуждениями — фононами, фотонами, колебаниям молекул, а также с парамагнитными примесями в барьере. Приводятся результаты исследований спектра возбуждений в кристаллах с помощью туннельного эффекта.

Книга охватывает важные в научном и практическом отношении проблемы твердотельной электроники и окажется полезной физикам и инженерам-исследователям, работающим в области контактных явлений в твердых телах.

Оглавление

Е. О. Кейн. Основные представления о туннелировании

В. Франц. Метод Вентцеля — Крамерса — Бриллюэна (ВКБ)

И. Живер. Туннельный переход в системе металл — изолятор — металл

К. Б. Дюк. Теория туннельного перехода в системе металл — барьер — металл

Л. Эсаки. Туннелирование

Е. О. Кейн, Е. И. Блаунт. Межзонное туннелирование

Р. Т. Шуе. Теория межзонного туннелирования

Р. Стрэттон. Туннелирование в выпрямителях с барьером Шоттки

К. А. Мид. Некоторые свойства экспоненциально затухающих волновых функций

Дж. Г. Симмонс. Силы изображения в туннельных переходах металл — окисел — металл

Р. А. Логан. Туннелирование в полупроводниках с участием фононов

X. Фрицще. Влияние деформации на межзонное туннелирование в полупроводниках

Л. Клейнман. Туннелирование в полупроводниках с участием фононов

К. Т. Са. Избыточный ток при туннелировании в полупроводниках

В. Франц. Туннелирование, сопровождающееся поглощением фотонов (эффект Франца — Келдыша)

В. Завадски. Туннелирование в полупроводниках в магнитном поле

Дж. Лэмб, Р. К. Джеклевик. Молекулярные возбуждения в барьерах. I

Р. К. Джеклевик, Дж. Лэмб. Молекулярные возбуждения в барьерах. II

И. Живер. Туннелирование между сверхпроводниками

Д. М. Роуэлл. Туннельная плотность состояний. Эксперимент

Д. Р. Шриффер. Одночастичное туннелирование в сверхпроводниках

Г. Д. Махан. Многочастичная теория туннелирования. Поляроны в переходах Шоттки

В. Дж. Томаш. Проявление геометрических резонансов в туннельных характеристиках толстых сверхпроводящих пленок

Дж. У. Уилкинс. Многочастичное туннелирование

Глен Э. Эверет. Одночастичное туннелирование между сверхпроводниками с участием фотонов

В. Айзенменгер. Генерация и детектирование фононов методом одночастичного туннелирования в сверхпроводниках

Дж. М. Роуэлл. Туннельные аномалии. Эксперимент

П. Фулде. Теория туннелирования при бесщелевой сверхпроводимости

Т. Клезон. Туннелирование при бесщелевой сверхпроводимости. Эксперимент

Предметный указатель