Купить бумажную книгу и читать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Лабиринт".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО "ЛАБИРИНТ.РУ", ИНН: 7728644571, erid: LatgCADz8.
Автор: Красников Г.Я.
Название: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Издательство: Москва: Техносфера
Год: 2011
Количество страниц: 800
Формат: DJVU
Размер: 24 mb
Для сайта:
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса
изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Купить бумажную книгу или электронную версию книги и скачать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Лабиринт".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Labyrinth" online store.
Реклама. ООО "ЛАБИРИНТ.РУ", ИНН: 7728644571, erid: LatgCADz8.
Дата создания страницы: