Купить бумажную книгу и читать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Буквоед".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Bookvoed" online store.
Реклама. ООО «Новый Книжный Центр», ИНН: 7710422909, erid: 5jtCeReLm1S3Xx3LfAELCUa.
Автор: Красников Г.Я.
Название: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Издательство: Москва: Техносфера
Год: 2011
Количество страниц: 800
Формат: DJVU
Размер: 24 mb
Для сайта:
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса
изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Купить бумажную книгу или электронную версию книги и скачать
По кнопке выше можно купить бумажные варианты этой книги и похожих книг на сайте интернет-магазина "Буквоед".
Using the button above you can buy paper versions of this book and similar books on the website of the "Bookvoed" online store.
Реклама. ООО «Новый Книжный Центр», ИНН: 7710422909, erid: 5jtCeReLm1S3Xx3LfAELCUa.
Дата создания страницы: